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SISS98DN-T1-GE3
SISS98DN-T1-GE3
型号:
SISS98DN-T1-GE3
制造商:
Vishay Precision Group
描述:
数量:
6000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
SISS98DN-T1-GE3.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:PowerPAK® 1212-8
系列:ThunderFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:105 mOhm @ 7A, 10V
功率耗散(最大):57W (Tc)
封装:Original-Reel®
封装/箱体:PowerPAK® 1212-8
其他名称:SISS98DN-T1-GE3DKR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:608pF @ 100V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:14nC @ 7.5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):7.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
详细说明:N-Channel 200V 14.1A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
电流 - 25°C连续排水(Id):14.1A (Tc)
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