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SISS71DN-T1-GE3
SISS71DN-T1-GE3
型号:
SISS71DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
描述:
19+
数量:
1353 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
SISS71DN-T1-GE3.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.569
  • 10 pcs$0.523
  • 100 pcs$0.478
  • 500 pcs$0.432
  • 1000 pcs$0.387
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
系列:ThunderFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:59 mOhm @ 5A, 10V
功率耗散(最大):57W (Tc)
封装:Original-Reel®
封装/箱体:8-PowerVDFN
其他名称:SISS71DN-T1-GE3DKR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1050pF @ 50V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:15nC @ 4.5V
FET型:P-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
详细说明:P-Channel 100V 23A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
电流 - 25°C连续排水(Id):23A (Tc)
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