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分销商 |
Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@标识: | 800mV @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±8V |
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技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
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供应商设备封装: | SOT-23-3 (TO-236) |
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系列: | TrenchFET® |
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RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V |
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功率耗散(最大): | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
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封装: | Original-Reel® |
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封装/箱体: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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其他名称: | SI2305ADS-T1-E3DKR |
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工作温度: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
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安装类型: | Surface Mount |
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湿度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
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无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
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输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 740pF @ 4V |
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栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
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FET型: | P-Channel |
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FET特点: | - |
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驱动电压(最大Rds开,最小Rds开): | 1.8V, 4.5V |
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漏极至源极电压(Vdss): | 8V |
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详细说明: | P-Channel 8V 5.4A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
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电流 - 25°C连续排水(Id): | 5.4A (Tc) |
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