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| 来源 |
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| 分销商 |
Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.5V @ 250µA |
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| Vgs（最大）: | ±20V |
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| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
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| 供应商设备封装: | I-PAK |
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| 系列: | - |
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| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 9 mOhm @ 30A, 10V |
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| 功率耗散（最大）: | 1.4W (Ta), 52W (Tc) |
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| 封装: | Tube |
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| 封装/箱体: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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| 工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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| 安装类型: | Through Hole |
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| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
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| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
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| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1456pF @ 12V |
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| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 13nC @ 4.5V |
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| FET型: | N-Channel |
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| FET特点: | - |
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| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 11.5V |
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| 漏极至源极电压（Vdss）: | 30V |
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| 详细说明: | N-Channel 30V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK |
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| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
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| Email: | |
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