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MJE800G
MJE800G
型号:
MJE800G
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
数量:
877 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
MJE800G.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.227
  • 10 pcs$0.209
  • 100 pcs$0.191
  • 500 pcs$0.173
  • 1000 pcs$0.154
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产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:2.5V @ 30mA, 1.5A
晶体管类型:NPN - Darlington
供应商设备封装:TO-225AA
系列:-
功率 - 最大:40W
封装:Bulk
封装/箱体:TO-225AA, TO-126-3
其他名称:MJE800GOS
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:2 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:-
详细说明:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:750 @ 1.5A, 3V
电流 - 集电极截止(最大):100µA
电流 - 集电极(Ic)(最大):4A
基础部件号:MJE800
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