产品特性
| 状况 | New and Original |
|---|---|
| 来源 | Contact us |
| 分销商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | TO-220AB |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 930 mOhm @ 5.1A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 167W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-220-3 |
| 其他名称: | *IRFB9N65A |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1417pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 48nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 650V |
| 详细说明: | N-Channel 650V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 8.5A (Tc) |
| Email: |