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TK10V60W,LVQ
TK10V60W,LVQ
型号:
TK10V60W,LVQ
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
数量:
5000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
TK10V60W,LVQ.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$1.851
  • 10 pcs$1.703
  • 100 pcs$1.555
  • 500 pcs$1.407
  • 1000 pcs$1.259
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:3.7V @ 500µA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:4-DFN-EP (8x8)
系列:DTMOSIV
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:380 mOhm @ 4.9A, 10V
功率耗散(最大):88.3W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:4-VSFN Exposed Pad
其他名称:TK10V60W,LVQ(S
TK10V60WLVQTR
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:700pF @ 300V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:20nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:Super Junction
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
详细说明:N-Channel 600V 9.7A (Ta) 88.3W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
电流 - 25°C连续排水(Id):9.7A (Ta)
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