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Si3983DV-T1-GE3
Si3983DV-T1-GE3
型号:
Si3983DV-T1-GE3
制造商:
Vishay
描述:
2020+
数量:
3000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
Si3983DV-T1-GE3.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:1.1V @ 250µA
供应商设备封装:6-TSOP
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
功率 - 最大:830mW
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:-
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:7.5nC @ 4.5V
FET型:2 P-Channel (Dual)
FET特点:Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss):20V
详细说明:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
电流 - 25°C连续排水(Id):2.1A
基础部件号:SI3983
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