中文版
STW21NM60ND
STW21NM60ND
型号:
STW21NM60ND
制造商:
STMicroelectronics
描述:
20+
数量:
3000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
STW21NM60ND.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$5.361
  • 10 pcs$4.932
  • 100 pcs$4.503
  • 500 pcs$4.074
  • 1000 pcs$3.645
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:5V @ 250µA
Vgs(最大):±25V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-247-3
系列:FDmesh™ II
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:220 mOhm @ 8.5A, 10V
功率耗散(最大):140W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-247-3
其他名称:497-8453-5
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:42 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1800pF @ 50V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:60nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
详细说明:N-Channel 600V 17A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247-3
电流 - 25°C连续排水(Id):17A (Tc)
Email:

快速询价

型号
数量
公司
联系人
邮箱
电话
要求