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STU5N60M2
STU5N60M2
型号:
STU5N60M2
制造商:
STMicroelectronics
描述:
数量:
2950 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
STU5N60M2.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.90
  • 10 pcs$0.828
  • 100 pcs$0.756
  • 500 pcs$0.684
  • 1000 pcs$0.612
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA
Vgs(最大):±25V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-220
系列:MDmesh™ II Plus
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:1.4 Ohm @ 1.85A, 10V
功率耗散(最大):45W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-220-3
其他名称:497-14224-5
STU5N60M2-ND
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:165pF @ 100V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:4.5nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
详细说明:N-Channel 600V 3.7A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
电流 - 25°C连续排水(Id):3.7A (Tc)
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