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STH110N10F7-6
STH110N10F7-6
型号:
STH110N10F7-6
制造商:
STMicroelectronics
描述:
14+
数量:
1000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
STH110N10F7-6.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:4.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:H2PAK-6
系列:DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:6.5 mOhm @ 55A, 10V
功率耗散(最大):150W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
其他名称:497-13837-2
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:5117pF @ 50V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:72nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
详细说明:N-Channel 100V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
电流 - 25°C连续排水(Id):110A (Tc)
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