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SISA01DN-T1-GE3
SISA01DN-T1-GE3
型号:
SISA01DN-T1-GE3
制造商:
Vishay Precision Group
描述:
数量:
6000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
SISA01DN-T1-GE3.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:2.2V @ 250µA
Vgs(最大):+16V, -20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:PowerPAK® 1212-8
系列:TrenchFET® Gen IV
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:4.9 mOhm @ 15A, 10V
功率耗散(最大):3.7W (Ta), 52W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:PowerPAK® 1212-8
其他名称:SISA01DN-T1-GE3TR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:32 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:3490pF @ 15V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:84nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:P-Channel 30V 22.4A (Ta), 60A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
电流 - 25°C连续排水(Id):22.4A (Ta), 60A (Tc)
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