SIR416DP-T1-GE3
- 型号：
- SIR416DP-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay
- 描述：
- 19+
- 数量：
- 5389 Pieces
- 发货时间：
- 1-2 days
参考价格(美元)
- 1 pcs
$0.628 - 10 pcs
$0.578 - 100 pcs
$0.528 - 500 pcs
$0.477 - 1000 pcs
$0.427
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产品特性
| 状况 | New and Original |
|---|---|
| 来源 | Contact us |
| 分销商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | PowerPAK® SO-8 |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 3.8 mOhm @ 15A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | PowerPAK® SO-8 |
| 其他名称: | SIR416DP-T1-GE3-ND SIR416DP-T1-GE3TR SIR416DPT1GE3 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 3350pF @ 20V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 90nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 40V |
| 详细说明: | N-Channel 40V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 50A (Tc) |
| Email: |