SIHP33N60E-GE3
- 型号：
- SIHP33N60E-GE3
- 制造商：
- Vishay
- 描述：
- 17+
- 数量：
- 9999 Pieces
- 发货时间：
- 1-2 days
参考价格(美元)
- 1 pcs
$3.542 - 10 pcs
$3.259 - 100 pcs
$2.975 - 500 pcs
$2.692 - 1000 pcs
$2.409
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如果您需要获得正确的价格，请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com
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产品特性
| 状况 | New and Original |
|---|---|
| 来源 | Contact us |
| 分销商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | TO-220AB |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 99 mOhm @ 16.5A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 278W (Tc) |
| 封装: | Bulk |
| 封装/箱体: | TO-220-3 |
| 其他名称: | SIHP33N60EGE3 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 3508pF @ 100V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 150nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 600V |
| 详细说明: | N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 33A (Tc) |
| Email: |