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分销商 |
Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@标识: | 2.6V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
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技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
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供应商设备封装: | 8-SO |
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系列: | TrenchFET® |
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RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 3.5 mOhm @ 15A, 10V |
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功率耗散(最大): | 3W (Ta), 6W (Tc) |
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封装: | Cut Tape (CT) |
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封装/箱体: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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其他名称: | SI4170DY-T1-GE3CT |
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工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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安装类型: | Surface Mount |
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湿度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
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无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
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输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 4355pF @ 15V |
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栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 100nC @ 10V |
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FET型: | N-Channel |
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FET特点: | - |
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驱动电压(最大Rds开,最小Rds开): | 4.5V, 10V |
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漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
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详细说明: | N-Channel 30V 30A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
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电流 - 25°C连续排水(Id): | 30A (Tc) |
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