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SI4170DY-T1-GE3
SI4170DY-T1-GE3
型号:
SI4170DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
描述:
20+
数量:
1553 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
SI4170DY-T1-GE3.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:2.6V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:8-SO
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:3.5 mOhm @ 15A, 10V
功率耗散(最大):3W (Ta), 6W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名称:SI4170DY-T1-GE3CT
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:4355pF @ 15V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:100nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:N-Channel 30V 30A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
电流 - 25°C连续排水(Id):30A (Tc)
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