SI3911DV-T1-E3
- 型号：
- SI3911DV-T1-E3
- 制造商：
- Vishay
- 描述：
- 2019+
- 数量：
- 2800 Pieces
- 发货时间：
- 1-2 days
产品特性
| 状况 | New and Original |
|---|---|
| 来源 | Contact us |
| 分销商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 450mV @ 250µA (Min) |
| 供应商设备封装: | 6-TSOP |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| 功率 - 最大: | 830mW |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 其他名称: | SI3911DV-T1-E3CT |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | - |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
| FET型: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特点: | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 20V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 1.8A |
| 基础部件号: | SI3911 |
| Email: |