中文版
SI2303BDS-T1-E3
SI2303BDS-T1-E3
型号:
SI2303BDS-T1-E3
制造商:
Vishay
描述:
14+
数量:
3000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
SI2303BDS-T1-E3.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:SOT-23-3 (TO-236)
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:200 mOhm @ 1.7A, 10V
功率耗散(最大):700mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称:SI2303BDS-T1-E3TR
SI2303BDST1E3
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:180pF @ 15V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:10nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:P-Channel 30V 1.49A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
电流 - 25°C连续排水(Id):1.49A (Ta)
Email:

快速询价

型号
数量
公司
联系人
邮箱
电话
要求