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SI1970DH-T1-GE3
SI1970DH-T1-GE3
型号:
SI1970DH-T1-GE3
制造商:
Vishay
描述:
2019+
数量:
3250 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
SI1970DH-T1-GE3.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:1.6V @ 250µA
供应商设备封装:SC-70-6 (SOT-363)
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:225 mOhm @ 1.2A, 4.5V
功率 - 最大:1.25W
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:95pF @ 15V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:3.8nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特点:Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
电流 - 25°C连续排水(Id):1.3A
基础部件号:SI1970
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