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SI1426DH-T1-GE3
SI1426DH-T1-GE3
型号:
SI1426DH-T1-GE3
制造商:
Vishay
描述:
2020+
数量:
5800 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
SI1426DH-T1-GE3.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:SC-70-6 (SOT-363)
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:75 mOhm @ 3.6A, 10V
功率耗散(最大):1W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名称:SI1426DH-T1-GE3TR
SI1426DHT1GE3
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:3nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:N-Channel 30V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
电流 - 25°C连续排水(Id):2.8A (Ta)
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