产品特性
| 状况 | New and Original |
|---|---|
| 来源 | Contact us |
| 分销商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 900mV @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±5V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | SC-89-6 |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V |
| 功率耗散（最大）: | 236mW (Ta) |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封装/箱体: | SOT-563, SOT-666 |
| 其他名称: | SI1050X-T1-E3DKR |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 585pF @ 4V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 11.6nC @ 5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 1.5V, 4.5V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 8V |
| 详细说明: | N-Channel 8V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 1.34A (Ta) |
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