状况 | New and Original |
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来源 | Contact us |
分销商 | Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@标识: | 2V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装: | 8-SO |
系列: | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 10.5 mOhm @ 12A, 10V |
功率耗散(最大): | 2.5W (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名称: | 934056988518 PHK12NQ03LT T/3 PHK12NQ03LT T/3-ND |
工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
湿度敏感度(MSL): | 2 (1 Year) |
无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1335pF @ 16V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 17.6nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特点: | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开): | 4.5V, 10V |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
详细说明: | N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
电流 - 25°C连续排水(Id): | - |
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