产品特性
| 状况 | New and Original |
|---|---|
| 来源 | Contact us |
| 分销商 | Boser Technology |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| 晶体管类型: | NPN - Pre-Biased |
| 供应商设备封装: | TO-236AB (SOT23) |
| 系列: | - |
| 电阻器 - 发射器底座（R2）: | 10 kOhms |
| 电阻器 - 基座（R1）: | 10 kOhms |
| 功率 - 最大: | 320mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 其他名称: | 1727-7552-2 934031040215 PDTD114ETR-ND |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换: | 225MHz |
| 详细说明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 225MHz 320mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 70 @ 50mA, 5V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 500nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 500mA |
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