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NTMSD6N303R2SG
NTMSD6N303R2SG
型号:
NTMSD6N303R2SG
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
数量:
15000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
NTMSD6N303R2SG.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.515
  • 10 pcs$0.474
  • 100 pcs$0.433
  • 500 pcs$0.391
  • 1000 pcs$0.35
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:8-SOIC
系列:FETKY™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:32 mOhm @ 6A, 10V
功率耗散(最大):2W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作温度:-
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):3 (168 Hours)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:950pF @ 24V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:30nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:Schottky Diode (Isolated)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
电流 - 25°C连续排水(Id):6A (Ta)
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