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| 来源 |
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| 分销商 |
Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.5V @ 250µA |
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| Vgs（最大）: | ±20V |
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| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
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| 供应商设备封装: | 8-SOIC |
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| 系列: | - |
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| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 4 mOhm @ 18A, 10V |
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| 功率耗散（最大）: | 910mW (Ta) |
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| 封装: | Tape & Reel (TR) |
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| 封装/箱体: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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| 安装类型: | Surface Mount |
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| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
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| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
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| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 5300pF @ 25V |
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| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 36nC @ 4.5V |
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| FET型: | N-Channel |
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| FET特点: | - |
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| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 10V |
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| 漏极至源极电压（Vdss）: | 30V |
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| 详细说明: | N-Channel 30V 11.1A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
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| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 11.1A (Ta) |
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| Email: | |
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