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NTHS4101PT1G
NTHS4101PT1G
型号:
NTHS4101PT1G
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
2020+
数量:
400 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
NTHS4101PT1G.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.377
  • 10 pcs$0.347
  • 100 pcs$0.317
  • 500 pcs$0.287
  • 1000 pcs$0.256
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:1.5V @ 250µA
Vgs(最大):±8V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:ChipFET™
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:34 mOhm @ 4.8A, 4.5V
功率耗散(最大):1.3W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:8-SMD, Flat Lead
其他名称:NTHS4101PT1GOS
NTHS4101PT1GOS-ND
NTHS4101PT1GOSTR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:43 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:2100pF @ 16V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:35nC @ 4.5V
FET型:P-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):1.8V, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
详细说明:P-Channel 20V 4.8A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
电流 - 25°C连续排水(Id):4.8A (Tj)
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