中文版
NTB30N20T4G
NTB30N20T4G
型号:
NTB30N20T4G
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
20+
数量:
1000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
NTB30N20T4G.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:D2PAK
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:81 mOhm @ 15A, 10V
功率耗散(最大):2W (Ta), 214W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名称:NTB30N20T4GOSCT
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:2335pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:100nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
详细说明:N-Channel 200V 30A (Ta) 2W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount D2PAK
电流 - 25°C连续排水(Id):30A (Ta)
Email:

快速询价

型号
数量
公司
联系人
邮箱
电话
要求