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NTB125N02RT4G
NTB125N02RT4G
型号:
NTB125N02RT4G
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
数量:
22800 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
NTB125N02RT4G.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:2V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:D2PAK
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:4.6 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散(最大):1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名称:NTB125N02RT4GOS
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:3440pF @ 20V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:28nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):24V
详细说明:N-Channel 24V 95A (Ta), 120.5A (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK
电流 - 25°C连续排水(Id):95A (Ta), 120.5A (Tc)
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