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NJL1302DG
NJL1302DG
型号:
NJL1302DG
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
数量:
2590 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
NJL1302DG.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$2.772
  • 10 pcs$2.55
  • 100 pcs$2.328
  • 500 pcs$2.107
  • 1000 pcs$1.885
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
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产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
电压 - 集电极发射极击穿(最大):260V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:3V @ 1A, 10A
晶体管类型:PNP + Diode (Isolated)
供应商设备封装:TO-264
系列:-
功率 - 最大:200W
封装:Tube
封装/箱体:TO-264-5
其他名称:NJL1302DG-ND
NJL1302DGOS
工作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:19 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:30MHz
详细说明:Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 260V 15A 30MHz 200W Through Hole TO-264
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:75 @ 5A, 5V
电流 - 集电极截止(最大):50µA (ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大):15A
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