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MUN5313DW1T1
MUN5313DW1T1
型号:
MUN5313DW1T1
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
数量:
700 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
MUN5313DW1T1.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:250mV @ 300µA, 10mA
晶体管类型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供应商设备封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
系列:-
电阻器 - 发射器底座(R2):47 kOhms
电阻器 - 基座(R1):47 kOhms
功率 - 最大:250mW
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Contains lead / RoHS non-compliant
频率 - 转换:-
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:80 @ 5mA, 10V
电流 - 集电极截止(最大):500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA
基础部件号:MUN53**DW1
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