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MUN5230DW1T1G
MUN5230DW1T1G
型号:
MUN5230DW1T1G
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
20+
数量:
6000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
MUN5230DW1T1G.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.052
  • 10 pcs$0.048
  • 100 pcs$0.044
  • 500 pcs$0.04
  • 1000 pcs$0.035
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:250mV @ 5mA, 10mA
晶体管类型:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
供应商设备封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
系列:-
电阻器 - 发射器底座(R2):1 kOhms
电阻器 - 基座(R1):1 kOhms
功率 - 最大:250mW
封装:Original-Reel®
封装/箱体:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名称:MUN5230DW1T1GOSDKR
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:40 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:-
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:3 @ 5mA, 10V
电流 - 集电极截止(最大):500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA
基础部件号:MUN52**DW1T
Email:

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