产品特性
| 状况 | New and Original |
|---|---|
| 来源 | Contact us |
| 分销商 | Boser Technology |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 晶体管类型: | PNP - Pre-Biased |
| 供应商设备封装: | SC-70-3 (SOT323) |
| 系列: | - |
| 电阻器 - 发射器底座（R2）: | 100 kOhms |
| 电阻器 - 基座（R1）: | 100 kOhms |
| 功率 - 最大: | 202mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | SC-70, SOT-323 |
| 其他名称: | MUN5136T1OS |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 详细说明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323) |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 500nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 100mA |
| 基础部件号: | MUN51**T |
| Email: |