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MSD602-RT1G
MSD602-RT1G
型号:
MSD602-RT1G
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
20+
数量:
3000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
MSD602-RT1G.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.015
  • 10 pcs$0.014
  • 100 pcs$0.013
  • 500 pcs$0.011
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:600mV @ 30mA, 300mA
晶体管类型:NPN
供应商设备封装:SC-59
系列:-
功率 - 最大:200mW
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称:MSD602-RT1GOS
MSD602-RT1GOS-ND
MSD602-RT1GOSTR
MSD602RT1G
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:10 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:-
详细说明:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 200mW Surface Mount SC-59
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:120 @ 150mA, 10V
电流 - 集电极截止(最大):100nA (ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大):500mA
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