产品特性
| 状况 | New and Original |
|---|---|
| 来源 | Contact us |
| 分销商 | Boser Technology |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 45V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 500mV @ 10mA, 100mA |
| 晶体管类型: | PNP |
| 供应商设备封装: | SC-59 |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 200mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 其他名称: | MSB709-RT1GOS MSB709-RT1GOS-ND MSB709-RT1GOSTR |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换: | - |
| 详细说明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 200mW Surface Mount SC-59 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 210 @ 2mA, 10V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 100nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 100mA |
| 基础部件号: | MSB709 |
| Email: |