MMBT2369LT1G
- 型号：
- MMBT2369LT1G
- 描述：
- 20+
- 数量：
- 3000 Pieces
- 发货时间：
- 1-2 days
- 数据表：
- MMBT2369LT1G.pdf
参考价格(美元)
- 1 pcs
$0.018 - 10 pcs
$0.017 - 100 pcs
$0.015 - 500 pcs
$0.014 - 1000 pcs
$0.012
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如果您需要获得正确的价格，请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com
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产品特性
| 状况 | New and Original |
|---|---|
| 来源 | Contact us |
| 分销商 | Boser Technology |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 15V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 晶体管类型: | NPN |
| 供应商设备封装: | SOT-23-3 (TO-236) |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 225mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 其他名称: | MMBT2369LT1GOS MMBT2369LT1GOS-ND MMBT2369LT1GOSTR |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 36 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换: | - |
| 详细说明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 40 @ 10mA, 350mV |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 400nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 200mA |
| 基础部件号: | MMBT2369 |
| Email: |