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MJD2955T4G
MJD2955T4G
型号:
MJD2955T4G
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
19+
数量:
933 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
MJD2955T4G.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.223
  • 10 pcs$0.205
  • 100 pcs$0.187
  • 500 pcs$0.169
  • 1000 pcs$0.152
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:8V @ 3.3A, 10A
晶体管类型:PNP
供应商设备封装:DPAK
系列:-
功率 - 最大:1.75W
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名称:MJD2955T4GOS
MJD2955T4GOS-ND
MJD2955T4GOSTR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:11 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:2MHz
详细说明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:20 @ 4A, 4V
电流 - 集电极截止(最大):50µA
电流 - 集电极(Ic)(最大):10A
基础部件号:MJD2955
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