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分销商 |
Boser Technology |
电压 - 测试: | 97pF @ 15V |
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电压 - 击穿: | Micro3™/SOT-23 |
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VGS(TH)(最大)@标识: | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
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Vgs(最大): | 2.7V, 4.5V |
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技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
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系列: | HEXFET® |
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RoHS状态: | Cut Tape (CT) |
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RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 780mA (Ta) |
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极化: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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其他名称: | IRLML6302GTRPBFCT |
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工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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安装类型: | Surface Mount |
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湿度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
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制造商标准交货期: | 10 Weeks |
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制造商零件编号: | IRLML6302GTRPBF |
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输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3.6nC @ 4.5V |
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IGBT类型: | ±12V |
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栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
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FET特点: | P-Channel |
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展开说明: | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
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漏极至源极电压(Vdss): | - |
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描述: | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 |
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电流 - 25°C连续排水(Id): | 20V |
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电容比: | 540mW (Ta) |
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