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| 来源 |
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| 分销商 |
Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 4V @ 250µA |
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| Vgs（最大）: | ±20V |
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| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
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| 供应商设备封装: | TO-251AA |
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| 系列: | - |
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| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 280 mOhm @ 5.3A, 10V |
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| 功率耗散（最大）: | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
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| 封装: | Tube |
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| 封装/箱体: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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| 其他名称: | *IRFU9024 |
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| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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| 安装类型: | Through Hole |
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| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
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| 无铅状态/ RoHS状态: | Contains lead / RoHS non-compliant |
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| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 570pF @ 25V |
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| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 19nC @ 10V |
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| FET型: | P-Channel |
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| FET特点: | - |
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| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 10V |
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| 漏极至源极电压（Vdss）: | 60V |
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| 详细说明: | P-Channel 60V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA |
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| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 8.8A (Tc) |
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| Email: | |
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