产品特性
| 状况 | New and Original |
|---|---|
| 来源 | Contact us |
| 分销商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.35V @ 100µA |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | DIRECTFET™ MX |
| 系列: | HEXFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 2.1 mOhm @ 29A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 2.8W (Ta), 100W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | DirectFET™ Isometric MX |
| 其他名称: | IRF6629TRPBFTR SP001526802 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 4260pF @ 13V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 51nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 25V |
| 详细说明: | N-Channel 25V 29A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 29A (Ta), 180A (Tc) |
| Email: |