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IRF640FP
IRF640FP
型号:
IRF640FP
制造商:
STMicroelectronics
描述:
数量:
700 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
IRF640FP.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$1.334
  • 10 pcs$1.227
  • 100 pcs$1.121
  • 500 pcs$1.014
  • 1000 pcs$0.907
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-220FP
系列:MESH OVERLAY™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:180 mOhm @ 9A, 10V
功率耗散(最大):40W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-220-3 Full Pack
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1560pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:72nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
详细说明:N-Channel 200V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
电流 - 25°C连续排水(Id):18A (Tc)
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