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HGTP3N60A4
HGTP3N60A4
型号:
HGTP3N60A4
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
18+
数量:
1600 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
1.HGTP3N60A4.pdf2.HGTP3N60A4.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$1.074
  • 10 pcs$0.988
  • 100 pcs$0.902
  • 500 pcs$0.816
  • 1000 pcs$0.73
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.7V @ 15V, 3A
测试条件:390V, 3A, 50 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:6ns/73ns
开关能量:37µJ (on), 25µJ (off)
供应商设备封装:TO-220AB
系列:-
功率 - 最大:70W
封装:Tube
封装/箱体:TO-220-3
其他名称:HGTP3N60A4_NL
HGTP3N60A4_NL-ND
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:-
栅极电荷:21nC
详细说明:IGBT 600V 17A 70W Through Hole TO-220AB
电流 - 集电极脉冲(ICM):40A
电流 - 集电极(Ic)(最大):17A
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