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FQP16N25
FQP16N25
型号:
FQP16N25
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
18+
数量:
8668 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
1.FQP16N25.pdf2.FQP16N25.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.748
  • 10 pcs$0.688
  • 100 pcs$0.628
  • 500 pcs$0.568
  • 1000 pcs$0.509
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:5V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-220-3
系列:QFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:230 mOhm @ 8A, 10V
功率耗散(最大):142W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-220-3
其他名称:FQP16N25-ND
FQP16N25FS
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:8 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1200pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:35nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):250V
详细说明:N-Channel 250V 16A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
电流 - 25°C连续排水(Id):16A (Tc)
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