中文版
FQP16N25C
FQP16N25C
型号:
FQP16N25C
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
18+
数量:
9000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
1.FQP16N25C.pdf2.FQP16N25C.pdf

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-220-3
系列:QFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:270 mOhm @ 7.8A, 10V
功率耗散(最大):139W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-220-3
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1080pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:53.5nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):250V
详细说明:N-Channel 250V 15.6A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
电流 - 25°C连续排水(Id):15.6A (Tc)
Email:

快速询价

型号
数量
公司
联系人
邮箱
电话
要求