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分销商 |
Boser Technology |
电压 - 集电极发射极击穿(最大): | - |
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Vce饱和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 500µA, 10mA |
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晶体管类型: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
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供应商设备封装: | EMT6 |
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系列: | Automotive, AEC-Q101 |
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电阻器 - 发射器底座(R2): | 22 kOhms |
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电阻器 - 基座(R1): | 22 kOhms |
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功率 - 最大: | 150mW |
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封装: | Tape & Reel (TR) |
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封装/箱体: | SOT-563, SOT-666 |
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其他名称: | EMD2FHAT2RTR |
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安装类型: | Surface Mount |
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湿度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
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制造商标准交货期: | 7 Weeks |
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无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
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频率 - 转换: | 250MHz |
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详细说明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
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直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 56 @ 5mA, 5V |
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电流 - 集电极截止(最大): | - |
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电流 - 集电极(Ic)(最大): | 100mA |
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