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EMD2FHAT2R
EMD2FHAT2R
型号:
EMD2FHAT2R
制造商:
LAPIS Semiconductor
描述:
数量:
4496 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
1.EMD2FHAT2R.pdf2.EMD2FHAT2R.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.059
  • 10 pcs$0.054
  • 100 pcs$0.05
  • 500 pcs$0.045
  • 1000 pcs$0.04
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
电压 - 集电极发射极击穿(最大):-
Vce饱和(最大)@ IB,IC:300mV @ 500µA, 10mA
晶体管类型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供应商设备封装:EMT6
系列:Automotive, AEC-Q101
电阻器 - 发射器底座(R2):22 kOhms
电阻器 - 基座(R1):22 kOhms
功率 - 最大:150mW
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:SOT-563, SOT-666
其他名称:EMD2FHAT2RTR
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:7 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:250MHz
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:56 @ 5mA, 5V
电流 - 集电极截止(最大):-
电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA
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