DTA114EET1G
- 型号：
- DTA114EET1G
- 描述：
- 数量：
- 3000 Pieces
- 发货时间：
- 1-2 days
- 数据表：
- DTA114EET1G.pdf
参考价格(美元)
- 1 pcs
$0.032 - 10 pcs
$0.029 - 100 pcs
$0.027 - 500 pcs
$0.024 - 1000 pcs
$0.022
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如果您需要获得正确的价格，请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com
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产品特性
| 状况 | New and Original |
|---|---|
| 来源 | Contact us |
| 分销商 | Boser Technology |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 晶体管类型: | PNP - Pre-Biased |
| 供应商设备封装: | SC-75, SOT-416 |
| 系列: | - |
| 电阻器 - 发射器底座（R2）: | 10 kOhms |
| 电阻器 - 基座（R1）: | 10 kOhms |
| 功率 - 最大: | 200mW |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | SC-75, SOT-416 |
| 其他名称: | DTA114EET1GOSCT |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 18 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 详细说明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 500nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 100mA |
| 基础部件号: | DTA114 |
| Email: |