状况 | New and Original |
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来源 | Contact us |
分销商 | Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@标识: | 3.2V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装: | TO-220-3 |
系列: | NexFET™ |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 6.6 mOhm @ 60A, 10V |
功率耗散(最大): | 217W (Tc) |
封装: | Tube |
封装/箱体: | TO-220-3 |
其他名称: | 296-37286-5 CSD19501KCS-ND |
工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
湿度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期: | 35 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态: | Request inventory verification / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3980pF @ 40V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 50nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特点: | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开): | 6V, 10V |
漏极至源极电压(Vdss): | 80V |
详细说明: | N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
电流 - 25°C连续排水(Id): | 100A (Ta) |
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