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2SB815-6-TB-E
2SB815-6-TB-E
型号:
2SB815-6-TB-E
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
数量:
1600 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
2SB815-6-TB-E.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.112
  • 10 pcs$0.103
  • 100 pcs$0.094
  • 500 pcs$0.085
  • 1000 pcs$0.076
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:80mV @ 10mA, 100mA
晶体管类型:PNP
供应商设备封装:3-CP
系列:-
功率 - 最大:200mW
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称:2SB815-6-TB-EOSCT
工作温度:125°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:4 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:250MHz
详细说明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 15V 700mA 250MHz 200mW Surface Mount 3-CP
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:200 @ 50mA, 2V
电流 - 集电极截止(最大):100nA (ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大):700mA
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