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2SB1202S-E
2SB1202S-E
型号:
2SB1202S-E
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
数量:
380 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
2SB1202S-E.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.254
  • 10 pcs$0.234
  • 100 pcs$0.213
  • 500 pcs$0.193
  • 1000 pcs$0.173
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产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:700mV @ 100mA, 2A
晶体管类型:PNP
供应商设备封装:TP
系列:-
功率 - 最大:1W
封装:Bulk
封装/箱体:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
其他名称:2SB1202S-E-ND
2SB1202S-EOS
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:2 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:150MHz
详细说明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 150MHz 1W Through Hole TP
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:140 @ 100mA, 2V
电流 - 集电极截止(最大):1µA (ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大):3A
基础部件号:2SB1202
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