状况 | New and Original |
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来源 | Contact us |
分销商 | Boser Technology |
电压 - 集电极发射极击穿(最大): | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC: | 700mV @ 100mA, 2A |
晶体管类型: | PNP |
供应商设备封装: | TP |
系列: | - |
功率 - 最大: | 1W |
封装: | Bulk |
封装/箱体: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
其他名称: | 2SB1202S-E-ND 2SB1202S-EOS |
工作温度: | 150°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
湿度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期: | 2 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
频率 - 转换: | 150MHz |
详细说明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 150MHz 1W Through Hole TP |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 140 @ 100mA, 2V |
电流 - 集电极截止(最大): | 1µA (ICBO) |
电流 - 集电极(Ic)(最大): | 3A |
基础部件号: | 2SB1202 |
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