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SVD5867NLT4G
SVD5867NLT4G
型号:
SVD5867NLT4G
制造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
数量:
16000 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
SVD5867NLT4G.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.267
  • 10 pcs$0.246
  • 100 pcs$0.224
  • 500 pcs$0.203
  • 1000 pcs$0.182
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:DPAK
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:39 mOhm @ 11A, 10V
功率耗散(最大):3.3W (Ta), 43W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名称:SVD5867NLT4GOSTR
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:16 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:675pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:15nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
详细说明:N-Channel 60V 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK
电流 - 25°C连续排水(Id):22A (Tc)
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