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分销商 |
Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@标识: | 2.5V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
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技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
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供应商设备封装: | DPAK |
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系列: | - |
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RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 39 mOhm @ 11A, 10V |
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功率耗散(最大): | 3.3W (Ta), 43W (Tc) |
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封装: | Tape & Reel (TR) |
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封装/箱体: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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其他名称: | SVD5867NLT4GOSTR |
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工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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安装类型: | Surface Mount |
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湿度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
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制造商标准交货期: | 16 Weeks |
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无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
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输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 675pF @ 25V |
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栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 15nC @ 10V |
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FET型: | N-Channel |
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FET特点: | - |
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驱动电压(最大Rds开,最小Rds开): | 4.5V, 10V |
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漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
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详细说明: | N-Channel 60V 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK |
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电流 - 25°C连续排水(Id): | 22A (Tc) |
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