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| 来源 |
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| 分销商 |
Boser Technology |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V |
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| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 250mV @ 5mA, 10mA |
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| 晶体管类型: | PNP - Pre-Biased |
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| 供应商设备封装: | SOT-23-3 (TO-236) |
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| 系列: | - |
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| 电阻器 - 发射器底座（R2）: | 2.2 kOhms |
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| 电阻器 - 基座（R1）: | 2.2 kOhms |
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| 功率 - 最大: | 246mW |
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| 封装: | Tape & Reel (TR) |
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| 封装/箱体: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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| 安装类型: | Surface Mount |
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| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
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| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
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| 详细说明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
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| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 8 @ 5mA, 10V |
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| 电流 - 集电极截止（最大）: | 500nA |
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| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 100mA |
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| 基础部件号: | MMUN21**L |
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| Email: | |
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