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CSD85312Q3E
CSD85312Q3E
型号:
CSD85312Q3E
制造商:
Luminary Micro / Texas Instruments
描述:
19+
数量:
2388 Pieces
发货时间:
1-2 days
数据表:
CSD85312Q3E.pdf

参考价格(美元)

  • 1 pcs$0.418
  • 10 pcs$0.385
  • 100 pcs$0.351
  • 500 pcs$0.318
  • 1000 pcs$0.284
此价格仅供参考。由于价格波动较大,
如果您需要获得正确的价格,请将您的询价发送至rfq@ztztechnology.com

产品特性

状况 New and Original
来源 Contact us
分销商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@标识:1.4V @ 250µA
供应商设备封装:8-VSON (3.3x3.3)
系列:NexFET™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:12.4 mOhm @ 10A, 8V
功率 - 最大:2.5W
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:8-PowerVDFN
其他名称:296-37187-2
CSD85312Q3E-ND
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:35 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:2390pF @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:15.2nC @ 4.5V
FET型:2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特点:Logic Level Gate, 5V Drive
漏极至源极电压(Vdss):20V
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
电流 - 25°C连续排水(Id):39A
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